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超高效异质结单晶电池组件
发布时间:2020-08-17
超高效异质结单晶电池组件 什么是HJT异质结 ?异质结电池有别于同质结电池, PN结的P型层基质是非晶硅, N型层基质是晶体硅,故称为异质结。HJT的电池性能非晶硅钝化的HJT电池少子寿命明显高于采用氮化硅钝化的单晶硅电池,这直接使得HJT


什么是HJT异质结 ?异质结电池有别于同质结电池, PN结的P型层基质是非晶硅, N型层基质是晶体硅,故称为异质结。

HJT的电池性能

非晶硅钝化的HJT电池少子寿命明显高于采用氮化硅钝化的单晶硅电池,这直接使得HJT电池的开路电压Voc比常规电池高出80mV左右,从而使得HJT电池量产转换效率较常规单晶硅电池效率高2%左右,体现在组件端功率提升约20W

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常规单晶

HJT

钝化方式

氮化

非晶硅

少子寿命

≈120us

4000us

Voc

682mV

>740mV

Isc

11.05A

10.66A

FF

81%

>80

平均效率

22.3%

23.7%

 

晋能科技异质结单晶组件的特点


ü  薄膜与晶体硅技术的结合

ü  N型双面电池结构

ü  高可靠性双玻封装

ü  超低的温度系数

ü  更好的弱光响应

ü  超低的功率衰减

 


1.         功率温度系数低达-0.25%/摄氏度


TC   Pmax

25°C

50°C

75°C

功率下降

双面PERC单晶

-0.38%

470W

425.4W

380.7W

89.3W

异质结

-0.25%

470W

440.6W

411.3W

58.8W

当工作温度达到75℃时,相比普通多晶组件,异质结组件可挽回34.2%的发电量损失!

 

2.         优秀的弱光响应能力

    采用N型硅片的异质结组件具有优秀的弱光响应能力,在早晚和阴天具有更高发电量。

 

3.         超低的功率衰减

                HJT产品采用n型硅片,无PID,无LID,具备超低的功率衰减值。

 

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4.         不同安装环境下背面增益高达10~35%

                HJT组件采用双面双玻结构,双面率高达93%

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    超高效异质结技术具有众多优异特性,量产技术(设备、材料、工艺)持续进步,近来众多企业投入研发,资本市场热捧,是下一代主流技术的主要竞争者之一。

 


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